IRF7380PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7380PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7380PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 73mOhm @ 2.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF7380 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7380PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7380PBF | IRF7379TRPBF | IRF7380QTRPBF | IRF7389 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 25V | 520pF @ 25V | 660pF @ 25V | 650pF @ 25V |
| 基本製品番号 | IRF7380 | IRF737 | IRF7380 | IRF738 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | 25nC @ 10V | 23nC @ 10V | 33nC @ 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A | 5.8A, 4.3A | 3.6A | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V | 30V | 80V | 30V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 73mOhm @ 2.2A, 10V | 45mOhm @ 5.8A, 10V | 73mOhm @ 2.2A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電力 - 最大 | 2W | 2.5W | 2W | 2.5W |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
IRF7380PBF - Infineon TechnologiesのIRF7380PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7381TRPBFIRFIRF7379TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7380TRIRIRF7379TRPBF MOSIRIRF7380TRPBF MOSIRFIRF7380IRIRF7380QIRIRF7379TRPBF.IRIRF7379TR MOSIRIRF7380TRPBF.IR
IRF737LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 6.1A TO220ABIRF737LCSVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAKIRF737LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 6.1A TO220ABIRF7380QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICIRF7380TRHRIRIRF7389Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7380TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICIRF7380 MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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