IRF7324PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7324PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7324PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 9A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2940pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 63nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRF732 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7324PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7324PBF | IRF7325 | IRF7324TRPBF | IRF7325TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2940pF @ 15V | 2020pF @ 10V | 2940pF @ 15V | 2020pF @ 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 9A, 4.5V | 24mOhm @ 7.8A, 4.5V | 18mOhm @ 9A, 4.5V | 24mOhm @ 7.8A, 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 12V | 20V | 12V |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 63nC @ 5V | 33nC @ 4.5V | 63nC @ 5V | 33nC @ 4.5V |
| 基本製品番号 | IRF732 | IRF732 | IRF732 | IRF732 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A | 7.8A | 9A | 7.8A |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
IRF7324PBF - Infineon TechnologiesのIRF7324PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7324D1TR MOSIRIRF7324 MOSIRIRF7326D2 MOSIRIRF7324D1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SOIRF7324D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SOIRF7326IRIRF7324D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SOIRF7326D2TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3.6A 8SOIRF7324DTIFIRF7324TRIRIRF7324D1TRPBF.IRIRF7325Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOICIRF7324TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOICIRF7324D1TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 2.2A 8SOIRF7326D2TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3.6A 8SOIRF7325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOICIRF7326D2TR MOSIRFIRF7324D1TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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