IRF7220TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7220TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7220TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 600mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 11A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8075 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 125 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 14 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7220TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7220TRPBF | IRF7233TRPBF | IRF7220 | IRF7220GTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 125 nC @ 5 V | 74 nC @ 5 V | 125 nC @ 5 V | 125 nC @ 5 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8075 pF @ 10 V | 6000 pF @ 10 V | 8075 pF @ 10 V | 8075 pF @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) | 9.5A (Ta) | 11A (Ta) | 11A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 11A, 4.5V | 20mOhm @ 9.5A, 4.5V | 12mOhm @ 11A, 4.5V | 12mOhm @ 11A, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 14 V | 12 V | 14 V | 14 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 600mV @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRF7220TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7220TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7233TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
IRF7233TRPBF MOSIRIRF7220Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 14V 11A 8SOIRF7220 MOSIRIRF7220TRPBF.IRIRF7220TRPBF MOSIRIRF7210TRPBF MOSIRIRF7210IRIRF7240IRIRF7220GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 14V 11A 8SOIRF7233TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 9.5A 8SOIRF7210TR MOSIRIRF7220PBFIRIRF7210TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 16A 8SOIRF7233 MOSIRIRF7233TR MOSIRIRF7233Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 12V 9.5A 8SOIRF7220TRIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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