IRF7171MTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7171MTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7171MTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MN | |
| シリーズ | FASTIRFET™, HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 56A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2160 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta), 93A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7171MTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7171MTRPBF | IRF712 | IRF720 | IRF720 |
| メーカー | Infineon Technologies | Harris Corporation | onsemi | Vishay Siliconix |
| シリーズ | FASTIRFET™, HEXFET® | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta), 93A (Tc) | 1.7A (Tc) | 3.3A (Tc) | 3.3A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MN | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MN | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220AB |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.5mOhm @ 56A, 10V | 5Ohm @ 1.1A, 10V | 1.8Ohm @ 2A, 10V | 1.8Ohm @ 2A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2160 pF @ 50 V | 135 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | 36W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tube |
IRF7171MTRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7171MTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7107TRPBFIRIRF710STRPBFIRIRF712Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF7201TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF720onsemiMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF720Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.3A TO220ABIRF7201PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF7201 MOSIR
IRF7201Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF710SVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF7108IRIRF7108TRIRFIRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF710PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF710SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A D2PAKIRF710ASECIRF7201TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIRF7201TR MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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