IRF6665TRPBFの技術仕様
International Rectifier - IRF6665TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRF6665TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ SH | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric SH | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRF6665TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6665TRPBF | IRF6668TRPBF | IRF6678TRPBF | IRF6665TR1 |
| メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ SH | DIRECTFET™ MZ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ SH |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | 65 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4.9V @ 100µA | 2.25V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 電力消費（最大） | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.2A (Ta), 19A (Tc) | 55A (Tc) | 30A (Ta), 150A (Tc) | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric SH | DirectFET™ Isometric MZ | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric SH |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 80 V | 30 V | 100 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 530 pF @ 25 V | 1320 pF @ 25 V | 5640 pF @ 15 V | 530 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62mOhm @ 5A, 10V | 15mOhm @ 12A, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 62mOhm @ 5A, 10V |
IRF6678TRIRIRF6668TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZIRF6678TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6665TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETIRF6655TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETIRF6665TRIRIRF6678TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF665AIRIRF6678Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6662TRPBF.IRIRF6668TRPBF MOSIRIRF6655TRPBFInternational Rectifier100V 19A DIRECTFET-MVIRF6662TRIRIRF6665Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETIRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFETIRF6668TRIRIRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZIRF6648TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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