IRF6637TR1の技術仕様
Infineon Technologies - IRF6637TR1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6637TR1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MP | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.7mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MP | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 59A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6637TR1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6637TR1 | IRF6635TR1 | IRF6633TRPBF | IRF6637TR1PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.7mOhm @ 14A, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V | 5.6mOhm @ 16A, 10V | 7.7mOhm @ 14A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 59A (Tc) | 32A (Ta), 180A (Tc) | 16A (Ta), 59A (Tc) | 14A (Ta), 59A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1330 pF @ 15 V | 5970 pF @ 15 V | 1250 pF @ 10 V | 1330 pF @ 15 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 250µA | 2.35V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.35V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MP | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MP | DIRECTFET™ MP |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric MP |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | 71 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.3W (Ta), 89W (Tc) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRF6637TR1 - Infineon TechnologiesのIRF6637TR1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF6637TRPBF MOSIRIRF6635TR1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFETIRF6633TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFETIRF6637TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFETIRF6637TR1.IRIRF6638IRIRF6636Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFETIRF6635TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFETIRF6638TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFETIRF6635Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFETIRF6637IRIRF6636TRPBFInternational RectifierIRF6636 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF6641PBFIRIRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFETIRF6635TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFETIRF6638TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFETIRF6637TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFTIRF6635TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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