IRF5802TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF5802TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF5802TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 88 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 900mA (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF5802TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF5802TR | IRF5802TRPBF | IRF5801TRPBF | IRF543 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | 100mOhm @ 17A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 150 V | 200 V | 80 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 88 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 900mA (Ta) | 900mA (Ta) | 600mA (Ta) | 25A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | Micro6™(TSOP-6) | TO-220AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 3.9 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
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IRF5802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6IRF5803D2TRPBF.IRIRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6IRF543Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5802Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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