IRF3704ZPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF3704ZPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF3704ZPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.55V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.9mOhm @ 21A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1220 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF3704ZPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF3704ZPBF | IRF3706LPBF | IRF3706S | IRF3706PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | 88W (Tc) | 88W (Tc) | 88W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.9mOhm @ 21A, 10V | 8.5mOhm @ 15A, 10V | 8.5mOhm @ 15A, 10V | 8.5mOhm @ 15A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-262 | D2PAK | TO-220AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±12V | ±12V | ±12V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.55V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 67A (Tc) | 77A (Tc) | 77A (Tc) | 77A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V | 35 nC @ 4.5 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.8V, 10V | 2.8V, 10V | 2.8V, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1220 pF @ 10 V | 2410 pF @ 10 V | 2410 pF @ 10 V | 2410 pF @ 10 V |
IRF3704ZPBF - Infineon TechnologiesのIRF3704ZPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF3706LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A TO262IRF3706SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A D2PAKIRF3706PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A TO220ABIRF3704ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3706PBF MOSIRIRF3704ZSIRIRF3704ZCSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 67A D2PAKIRF3704STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A D2PAKIRF3704ZIRIRF3704ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 67A TO262IRF3704ZCSTRRIRIRF3704ZCSPBFIRIRF3706SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A D2PAKIRF3704STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A D2PAKIRF3704STRLPBF MOSIRIRF3706Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A TO220ABIRF3704ZCLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 67A TO262IRF3704STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 77A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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