IRF200B211の技術仕様
Infineon Technologies - IRF200B211技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF200B211仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 170mOhm @ 7.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF200 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF200B211と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF200B211 | IRF200S234 | IRF1902GTRPBF | IRF200P223 |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 80W (Tc) | 417W (Tc) | - | 313W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V | 162 nC @ 10 V | 7.5 nC @ 4.5 V | 102 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 20 V | 200 V |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | - | HEXFET® | StrongIRFET™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | 6484 pF @ 50 V | 310 pF @ 15 V | 5094 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-247-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA | 5V @ 250µA | 700mV @ 250µA | 4V @ 270µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IRF200 | - | - | IRF200 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 170mOhm @ 7.2A, 10V | 16.9mOhm @ 51A, 10V | 85mOhm @ 4A, 4.5V | 11.5mOhm @ 60A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 90A | 4.2A (Ta) | 100A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | PG-TO263-3 | 8-SO | TO-247AC |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
IRF200B211 - Infineon TechnologiesのIRF200B211 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF1902UTRPBFIRIRF210IRIRF1730GIRIRF200S234International RectifierIRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF1902IRIRF1902GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIRF200P223Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 100A TO247ACIRF200P223 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF2111SIRIRF1902 MOSIRFIRF200P222Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 182A TO247ACIRF1705HARIRF200S234 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF2002IRIRF2153DIRIRF1902TRIRIRF1902TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIRF2001IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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