IRF1302Sの技術仕様
Infineon Technologies - IRF1302S技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF1302S仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4mOhm @ 104A, 10V | |
電力消費(最大) | 200W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 174A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF1302Sと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | IRF1302S | IRF1310NSPBF | IRF1104S | IRF1310NSTRLPBF |
メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4mOhm @ 104A, 10V | 36mOhm @ 22A, 10V | 9mOhm @ 60A, 10V | 36mOhm @ 22A, 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
電力消費(最大) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) | 2.4W (Ta), 170W (Tc) | 3.8W (Ta), 160W (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 2900 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 100 V | 40 V | 100 V |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
FET特長 | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 174A (Tc) | 42A (Tc) | 100A (Tc) | 42A (Tc) |
パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
IRF1302S - Infineon TechnologiesのIRF1302S PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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