IRF1018ESTRLPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF1018ESTRLPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.4mOhm @ 47A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2290 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 79A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF1018 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF1018ESTRLPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF1018ESTRLPBF | IRF1104LPBF | IRF1018ESLPBF | IRF1104PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | IRF1018 | - | - | IRF1104 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2290 pF @ 50 V | 2900 pF @ 25 V | 2290 pF @ 50 V | 2900 pF @ 25 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | - | 110W (Tc) | 170W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 79A (Tc) | 100A (Tc) | 79A (Tc) | 100A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.4mOhm @ 47A, 10V | 9mOhm @ 60A, 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V | 9mOhm @ 60A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 69 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-262 | TO-262 | TO-220AB |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 40 V | 60 V | 40 V |
IRF1018ESTRLPBF - Infineon TechnologiesのIRF1018ESTRLPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF1104LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A TO-262
IRF1059TRPBFIRIRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A TO262IRF1104PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A TO220ABIRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1010ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1104LPBF MOSIRIRF1018EIRIRF1059IRIRF1018ESTRRPBFIRIRF1018ESPBF MOSIRIRF1104SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A D2PAKIRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A TO220ABIRF1018ESIRIRF1104IRIRF1010ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1010ZSTRPBFIRIRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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