IRF1010ZLPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF1010ZLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF1010ZLPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF1010ZLPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF1010ZLPBF | IRF1018EPBF | IRF1010NSPBF | IRF1010ZSTRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 79A (Tc) | 85A (Tc) | 75A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 75A, 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V | 11mOhm @ 43A, 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840 pF @ 25 V | 2290 pF @ 50 V | 3210 pF @ 25 V | 2840 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-220AB | D2PAK | D2PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 55 V | 55 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 140W (Tc) | 110W (Tc) | 180W (Tc) | 140W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
IRF1010ZLPBF - Infineon TechnologiesのIRF1010ZLPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF1018EPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A TO220ABIRF1010NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKIRF1010ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1010SIRIRF1010ZSTRPBFIRIRF1010NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKIRF1010NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRF1010ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1010NSTRLPBF MOSIRIRF1010NSPBF MOSIRIRF1010ZLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A TO262IRF1018ESPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A D2PAKIRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 85A D2PAKIRF1010ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A TO220ABIRF1010NS MOSIRIRF1018ESLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 79A TO262IRF1010ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKIRF1010ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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