IRF100S201の技術仕様
Infineon Technologies - IRF100S201技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF100S201仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 115A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 441W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9500 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 255 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 192A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF100 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF100S201と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF100S201 | IRF1010EZL | IRF1010EPBF | IRF1010EZ |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9500 pF @ 50 V | 2810 pF @ 25 V | 3210 pF @ 25 V | 2810 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 192A (Tc) | 75A (Tc) | 84A (Tc) | 75A (Tc) |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 115A, 10V | 8.5mOhm @ 51A, 10V | 12mOhm @ 50A, 10V | 8.5mOhm @ 51A, 10V |
| 基本製品番号 | IRF100 | - | IRF1010 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 255 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 441W (Tc) | 140W (Tc) | 200W (Tc) | 140W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 100µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | TO-262 | TO-220AB | TO-220AB |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-220-3 |
IRF100S201 - Infineon TechnologiesのIRF100S201 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF1010EZLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 75A TO262IRF100B102PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRF1010E MOSIRIRF0772MTRPBFIRIRF1010EPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 84A TO220ABIRF100P218PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF1010EZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 75A TO220ABIRF100B102Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF1010ESTRPBFIRIRF100B202Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 97A TO220ABIRF1010ESIRIRF1010EIRIRF1010EZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 75A TO262IRF100B201Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 192A TO220ABIRF0771MTRPBFIRIRF1010ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 84A D2PAKIRF100P219Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF100P218Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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