IR25603STRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IR25603STRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR25603STRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 15.6V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 45ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | RC Input Circuit | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 180mA, 260mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | IR25603 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 2 (1 Year) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR25603STRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR25603STRPBF | IR25600STRPBF | IR25606STRPBF | IR25603SPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | - | 600 V | 600 V |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Independent | Independent | Synchronous |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Low-Side | Half-Bridge | Half-Bridge |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| 基本製品番号 | IR25603 | IR25600 | IR25606 | IR25603 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | 0.8V, 2.7V | 0.8V, 2.9V | - |
| 入力タイプ | RC Input Circuit | Non-Inverting | Non-Inverting | RC Input Circuit |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 180mA, 260mA | 2.3A, 3.3A | 200mA, 350mA | 180mA, 260mA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電源電圧 - | 10V ~ 15.6V | 6V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 15.6V |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 45ns | 15ns, 10ns | 150ns, 50ns | 80ns, 45ns |
IR25603STRPBF - Infineon TechnologiesのIR25603STRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR25607SPBFInfineonIR25600STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IR25601SPBFIR25606STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2526SIRIR25602STRIRIR25604STRPBF.IRIR25603SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2526STRPBFIRIR25604STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR25601STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR25606SIR
IR25607STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR25604SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR25602S
IR26-21C/L110/CTEverlight Electronics
IR26-21C/L110/TR8Everlight Electronics Co LtdEMITTER IR 940NM 65MA 1206IR25602STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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