IR2131Sの技術仕様
Infineon Technologies - IR2131S技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2131S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 6 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.2V | |
| 入力タイプ | Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | IR2131 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2131Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2131S | IR2131JTR | IR2131JTRPBF | IR2132JTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 35ns |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | 3-Phase |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads |
| 入力タイプ | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力周波数 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-SOIC | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IR2131 | IR2131 | IR2131 | IR2132 |
IR2131S - Infineon TechnologiesのIR2131S PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2131JTRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2131JTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2132JTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
IR2131PBF.IR
IR2132Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIPIR2131JPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2131SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2132JPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2130STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2132JIRIR2132JTRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2132-3IRIR2131PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIPIR2131STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR2130SPBF#PBFIRIR2131JInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2131Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIPIR2132J.IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。