IR21271PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IR21271PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR21271PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 9V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IR21271 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR21271PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR21271PBF | IR2127PBF | IR21271 | IR2125SPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 43ns, 26ns |
| 入力周波数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Single |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 1.6A, 3.3A |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 2.2V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | 8-PDIP | 8-PDIP | 16-SOIC |
| 電源電圧 - | 9V ~ 20V | 12V ~ 20V | 9V ~ 20V | 0V ~ 18V |
| 基本製品番号 | IR21271 | IR2127 | IR21271 | IR2125 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 500 V |
IR21271PBF - Infineon TechnologiesのIR21271PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2127PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIR21271Infineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
IR2125ZIRIR2125SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2125STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2127Infineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
IR2127STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2127SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR21271PBF.IRIR21271SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2125STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2122SIRIR2125PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR21271STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2125Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR21271SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2125SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2127STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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