画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
- 高速オプション
- 支払方法
IR2122 - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IR2122
- Allelco 部品型番
- 32D-IR2122
- ECADモデル
- モデルの説明
- IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
- パッケージ
- 8-DIP (0.300', 7.62mm)
- 認定
- 在庫あり: 10690
IR2122の技術仕様
Infineon Technologies - IR2122技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2122仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 13V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 250ns, 250ns | |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | |
| 入力タイプ | Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 130mA, 130mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IR2122 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2122と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2122 | IR2125STR | IR2121PBF | IR2125STRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 電源電圧 - | 13V ~ 20V | 0V ~ 18V | 12V ~ 18V | 0V ~ 18V |
| 入力タイプ | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 駆動構成 | High-Side | High-Side | Low-Side | High-Side |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP | 16-SOIC | 8-PDIP | 16-SOIC |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 500 V | - | 500 V |
| 入力周波数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Single |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 130mA, 130mA | 1.6A, 3.3A | 1.6A, 3.3A | 1.6A, 3.3A |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 250ns, 250ns | 43ns, 26ns | 43ns, 26ns | 43ns, 26ns |
| 基本製品番号 | IR2122 | IR2125 | IR2121 | IR2125 |
IR2122 - Infineon TechnologiesのIR2122 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2122SIRIR2125STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2121PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIR2125STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2125SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2118Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118SIR
IR2118STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2125ZIRIR2118STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2121Infineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIR2118PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2125SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2125PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2127Infineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIR2125Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118STRPBF.IRIR2118SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。