IR2106STRの技術仕様
Infineon Technologies - IR2106STR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IR2106STR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 150ns, 50ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.9V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 200mA, 350mA | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | IR2106 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IR2106STRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IR2106STR | IR2106STRPBF | IR2106 | IR21064 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.9V | 0.8V, 2.9V | 0.8V, 2.9V | 0.8V, 2.9V |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP | 14-DIP |
| 基本製品番号 | IR2106 | IR2106 | IR2106 | IR21064 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 電源電圧 - | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | High-Side or Low-Side |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Independent |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 150ns, 50ns | 150ns, 50ns | 150ns, 50ns | 150ns, 50ns |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 14-DIP (0.300', 7.62mm) |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA |
IR2106STR - Infineon TechnologiesのIR2106STR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IR2106STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2106Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR21064Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
IR21084IR
IR21074SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICIR2106SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2106SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2106STRPBF.IRIR2107SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR21074Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR21064SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOICIR2106PBF.IRIR21084PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR21064SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOICIR21064STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOICIR2107Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR21064PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIPIR2108Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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