IPZ65R065C7XKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 850µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4 | |
| シリーズ | CoolMOS™ C7 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 17.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3020 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPZ65R065 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPZ65R065C7XKSA1 | IPZ60R060C7XKSA1 | IPZ65R045C7XKSA1 | IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IPZ65R065 | IPZ60R060 | IPZ65R045 | IPZ40N04 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 35A (Tc) | 46A (Tc) | 40A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3020 pF @ 400 V | 2850 pF @ 400 V | 4340 pF @ 400 V | 920 pF @ 25 V |
| シリーズ | CoolMOS™ C7 | CoolMOS™ C7 | CoolMOS™ C7 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 600 V | 650 V | 40 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 17.1A, 10V | 60mOhm @ 15.9A, 10V | 45mOhm @ 24.9A, 10V | 7.4mOhm @ 20A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 | TO-247-4 | TO-247-4 | 8-PowerVDFN |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) | 162W (Tc) | 227W (Tc) | 34W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4 | PG-TO247-4 | PG-TO247 | PG-TSDSON-8 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 850µA | 4V @ 800µA | 4V @ 1.25mA | 2V @ 10µA |
IPZ65R065C7XKSA1 - Infineon TechnologiesのIPZ65R065C7XKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPZ60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 35A TO247-4IPZ65R045C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 46A TO247IPZ65R065C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ65R095C7 65C7095Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZA60R060P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5L-2R8Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5L-4R8Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ60R060C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ65R045C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZA60R080P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5L-7R4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5-3R1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZA60R037P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5-3R1 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5L7R4ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSONIPZ60R070P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ60R040C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPZ40N04S5-5R4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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