IPW60R330P6の技術仕様
Infineon Technologies - IPW60R330P6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPW60R330P6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 370µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 330mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 93W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPW60R330P6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPW60R330P6 | IPW60R250CP | IPW60R299CP | IPW60R199CP |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 330mOhm @ 4.5A, 10V | 250mOhm @ 7.8A, 10V | - | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010 pF @ 100 V | 1200 pF @ 100 V | - | 1520 pF @ 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 12A (Tc) | - | 16A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | * | CoolMOS™ |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | - | 43 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-41 | PG-TO247-3-1 | - | PG-TO247-3-21 |
| 電力消費（最大） | 93W (Tc) | 104W (Tc) | - | 139W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | - | TO-247-3 |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 370µA | 3.5V @ 440µA | - | 3.5V @ 660µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 650 V | - | 600 V |
IPW65R037C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPW60R250CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3IPW60R299CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPW60R199CPInfineon Technologies16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL MIPW65R029CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW65R037C6 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW65R035CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW65R019C7Infineon Technologies75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL MIPW65R041CFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPW60R280P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R230P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3IPW60R280E6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R199CP6R199PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R199CP.6R199PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW65R037C6 65C6037Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R330P6 6R330P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R280C6/6R280C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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