画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IPW60R041C6 - Infineon Technologies
- メーカー 部品型番
- IPW60R041C6
- Allelco 部品型番
- 32D-IPW60R041C6
- ECADモデル
- モデルの説明
- 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET
- 詳細な説明
- パッケージ
- -
- データシート
IPW60R041C6.pdf
- 在庫あり: 4340
IPW60R041C6の技術仕様
Infineon Technologies - IPW60R041C6技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPW60R041C6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | - | |
| 技術 | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | - | |
| 運転温度 | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | - | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FETタイプ | - | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPW60R041C6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPW60R041C6 | IPW60R041P6FKSA1 | IPW60R040C7XKSA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 600 V | 600 V | 650 V |
| 技術 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | - | 481W (Tc) | 227W (Tc) | 255W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | 41mOhm @ 35.5A, 10V | 40mOhm @ 24.9A, 10V | 37mOhm @ 29.5A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | 77.5A (Tc) | 50A (Tc) | 76A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | - | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | - | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 170 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | 121 nC @ 10 V |
| FETタイプ | - | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 8180 pF @ 100 V | 4340 pF @ 400 V | 5243 pF @ 400 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 4.5V @ 2.96mA | 4V @ 1.24mA | 4V @ 1.48mA |
IPW60R041P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3IPW60R045CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R041C6 6R041C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R040C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R045CP/6R045Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R040CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R040C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 50A TO247-3IPW60R045CP 6R045Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R055CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R037CSFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R037P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 76A TO247-3IPW60R037P7 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R031CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 63A TO247-3IPW60R041C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3IPW60R037P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPW60R040CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 50A TO247-3IPW60R060C7Infineon TechnologiesIPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANNIPW60R041P6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。