IPT65R195G7XTMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPT65R195G7XTMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPT65R195G7XTMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 240µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-2 | |
シリーズ | CoolMOS™ C7 | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 195mOhm @ 4.8A, 10V | |
電力消費(最大) | 97W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerSFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 996 pF @ 400 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14A (Tc) | |
基本製品番号 | IPT65R195 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPT65R195G7XTMA1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IPT65R195G7XTMA1 | IPT60R125G7XTMA1 | IPT60R050G7XTMA1 | IPT60R035CFD7XTMA1 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 240µA | 4V @ 320µA | 4V @ 800µA | 4.5V @ 1.25mA |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
電力消費(最大) | 97W (Tc) | 120W (Tc) | 245W (Tc) | 351W (Tc) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 195mOhm @ 4.8A, 10V | 125mOhm @ 6.4A, 10V | 50mOhm @ 15.9A, 10V | 35mOhm @ 24.9A, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V | 600 V | 600 V | 600 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-2 | PG-HSOF-8-2 | PG-HSOF-8-2 | PG-HSOF-8-1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 996 pF @ 400 V | 1080 pF @ 400 V | 2670 pF @ 400 V | 4354 pF @ 400 V |
FET特長 | - | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 109 nC @ 10 V |
シリーズ | CoolMOS™ C7 | CoolMOS™ G7 | CoolMOS™ G7 | CoolMOS™ CFD7 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14A (Tc) | 20A (Tc) | 44A (Tc) | 67A (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN | 8-PowerSFN |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
基本製品番号 | IPT65R195 | IPT60R125 | IPT60R050 | IPT60R035 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 10V | 10V |
IPT65R195G7XTMA1 - Infineon TechnologiesのIPT65R195G7XTMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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