IPP220N25NFDの技術仕様
Infineon Technologies - IPP220N25NFD技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPP220N25NFD仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 270µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™FD | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 61A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7076 pF @ 125 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 61A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPP220N25NFDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPP220N25NFD | IPP220N25NFDAKSA1 | IPP260N06N3G | IPP230N06L3G |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| シリーズ | OptiMOS™FD | OptiMOS™ | OptiMOS™3 | OptiMOS™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7076 pF @ 125 V | 7076 pF @ 125 V | 1200 pF @ 30 V | 1600 pF @ 30 V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 36W (Tc) | 36W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 22mOhm @ 61A, 10V | 22mOhm @ 61A, 10V | 25.7mOhm @ 27A, 10V | 23mOhm @ 30A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 61A (Tc) | 61A (Tc) | 27A (Tc) | 30A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 10 nC @ 4.5 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 270µA | 4V @ 270µA | 4V @ 11µA | 2.2V @ 11µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 250 V | 60 V | 60 V |
IPP22N03S4L-15Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP20N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP200N25N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP220N25NFDAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 61A TO220-3IPP260N06N3GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPP2141TAIMCOMIPP200N25N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP200N25N3G 200N25NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP230N06L3GInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPP200N25NFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP200N15N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP230N06L3G/230N06LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP200N25N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 64A TO220-3IPP230N06LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP2461TAIMCOMIPP200N25NINFINEOIPP25N06S3L-22Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 25A TO220-3IPP200N15N3G 200N15NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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