IPP120P04P404AKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPP120P04P404AKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPP120P04P404AKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 340µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 136W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14790 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 205 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPP120P |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPP120P04P404AKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPP120P04P404AKSA1 | IPP120N20NFDAKSA1 | IPP126N10N3G | IPP120P04P4L03AKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 136W (Tc) | 300W (Tc) | 94W (Tc) | 136W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 200 V | 100 V | 40 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 205 nC @ 10 V | 87 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 234 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 100A, 10V | 12mOhm @ 84A, 10V | 12.6mOhm @ 46A, 10V | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3-1 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 340µA | 4V @ 270µA | 3.5V @ 46µA | 2.2V @ 340µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 84A (Tc) | 58A (Tc) | 120A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPP120P | IPP120 | - | IPP120 |
| パッケージ | Tube | Tube | - | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14790 pF @ 25 V | 6650 pF @ 100 V | 2500 pF @ 50 V | 15000 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
IPP120P04P404AKSA1 - Infineon TechnologiesのIPP120P04P404AKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPP120N06S4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N20NFDAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
IPP120P04P4L-03INFIPP126N10N3GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 58A TO220-3IPP12CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120P04P4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N06S4-02 4N0602Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N06S4-03VBsemiIPP12CN10LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP120N20NFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N08S4-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N20NFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP139N08NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP12CN10LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP12CN10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120N08S4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP139N08N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP120P04P4L03AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 120A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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