IPP076N12N3Gの技術仕様
Infineon Technologies - IPP076N12N3G技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPP076N12N3G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | - | |
| 技術 | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | - | |
| 運転温度 | - |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | - | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FETタイプ | - | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPP076N12N3Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPP076N12N3G | IPP076N15N5AKSA1 | IPP072N10N3GXKSA1 | IPP075N15N3GXKSA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - | 7.6mOhm @ 56A, 10 | 7.2mOhm @ 80A, 10V | 7.5mOhm @ 100A, 10V |
| FET特長 | - | Standard | - | - |
| 電力消費（最大） | - | 214W (Tc) | 150W (Tc) | 300W (Tc) |
| 運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 4.6V @ 160µA | 3.5V @ 90µA | 4V @ 270µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | - | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 |
| 装着タイプ | - | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 150 V | 100 V | 150 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 21 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 8V, 10V | 6V, 10V | 8V, 10V |
| FETタイプ | - | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 4700 pF @ 75 V | 4910 pF @ 50 V | 5470 pF @ 75 V |
| 技術 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | - | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - | 112A (Tc) | 80A (Tc) | 100A (Tc) |
IPP075N15N3G/075N15NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N15NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP07N03LBGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP080N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N15N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP078N12NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP076N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 112A TO220-3IPP076N15N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP072N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 80A TO220-3IPP080N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP080N06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP07N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N15N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N15N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP075N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 100A TO220-3IPP07N03L MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP078N12N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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