IPP027N08N5AKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 154µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8970 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 123 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPP027 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPP027N08N5AKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPP027N08N5AKSA1 | IPP024N06N3G | IPP023NE7N3G | IPP023NE7N3G 023NE7N |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8970 pF @ 40 V | 23000 pF @ 30 V | 14400 pF @ 37.5 V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 154µA | 4V @ 196µA | 3.8V @ 273µA | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 60 V | 75 V | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 123 nC @ 10 V | 275 nC @ 10 V | 206 nC @ 10 V | - |
| 基本製品番号 | IPP027 | - | IPP023N | - |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) | 250W (Tc) | 300W (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™ 3 | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 10V | 10V | - |
IPP027N08N5AKSA1 - Infineon TechnologiesのIPP027N08N5AKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPP023NE7N3G 023NE7NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP028N08N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP029N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP024N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP024N06N3GInfineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1IPP029N06NAKSA1InfineonIPP028N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP023NE7N3GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220-3IPP024N08NF2SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP029N06N MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP023NE7N3GXKSA1InfineonIPP028N08N3G 028N08NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP029N06N 029N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP028N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP024N08NF2SAKMA1InfineonIPP024N06N3G 024N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPP02BN04NGRenesas Electronics CorporationIPP027N08N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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