IPG20N06S4L26AATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPG20N06S4L26AATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPG20N06S4L26AATMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 10µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 17A, 10V | |
電力 - 最大 | 33W | |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1430pF @ 25V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | IPG20N |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPG20N06S4L26AATMA1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IPG20N06S4L26AATMA1 | IPG20N10S4L22AATMA1 | IPG20N06S4L11ATMA2 | IPG20N10S436AATMA1 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount, Wettable Flank |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 10µA | 2.1V @ 25µA | 2.2V @ 28µA | 3.5V @ 16µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1430pF @ 25V | 1755pF @ 25V | 4020pF @ 25V | 990pF @ 25V |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電力 - 最大 | 33W | 60W | 65W (Tc) | 43W |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V | 100V | 60V | 100V |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A | 20A | 20A (Tc) | 20A |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-10 |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V | 27nC @ 10V | 53nC @ 10V | 15nC @ 10V |
基本製品番号 | IPG20N | IPG20N | IPG20N | IPG20N |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 17A, 10V | 22mOhm @ 17A, 10V | 11.2mOhm @ 17A, 10V | 36mOhm @ 17A, 10V |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IPG20N06S4L26AATMA1 - Infineon TechnologiesのIPG20N06S4L26AATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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