IPG16N10S4L61AATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPG16N10S4L61AATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 90µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 61mOhm @ 16A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 29W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 845pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IPG16N10 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPG16N10S4L61AATMA1 | IPG20N04S4-08 | IPG20N04S4L07ATMA1 | IPG20N04S4L08ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 845pF @ 25V | 2940pF @ 25V | 3980pF @ 25V | 3050pF @ 25V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 90µA | 4V @ 30µA | 2.2V @ 30µA | 2.2V @ 22µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 40V | 40V | 40V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 61mOhm @ 16A, 10V | 7.6mOhm @ 17A, 10V | 7.2mOhm @ 17A, 10V | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 10V | 36nC @ 10V | 50nC @ 10V | 39nC @ 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 | PG-TDSON-8-4 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 29W | 65W (Tc) | 65W | 54W |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A | 20A (Tc) | 20A | 20A |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™T2 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 基本製品番号 | IPG16N10 | IPG20N | IPG20N | IPG20N |
IPG16N10S4L61AATMA1 - Infineon TechnologiesのIPG16N10S4L61AATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPG20N04S4L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesIPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTIPG20N04S4L-08Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONIPG20N04S4L-08ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONIPG20N04OS4L-08Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4L-11ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG15N06S3L-45Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8IPG20N04S4-09Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40VIPG20N040S4L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4-08BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4-12ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSONIPG20N04S4-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4-08ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPG20N04S4L-07ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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