IPD90N06S4L-05の技術仕様
Infineon Technologies - IPD90N06S4L-05技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD90N06S4L-05仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 60µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 90A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 107W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8180 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPD90 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD90N06S4L-05と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD90N06S4L-05 | IPD90P03P4L04ATMA1 | IPD90N06S4L06ATMA2 | IPD90N04S4L04ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 90A, 10V | 4.1mOhm @ 90A, 10V | 6.3mOhm @ 90A, 10V | 3.8mOhm @ 90A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IPD90 | IPD90 | IPD90 | IPD90 |
| 電力消費（最大） | 107W (Tc) | 137W (Tc) | 79W (Tc) | 71W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±16V | +5V, -16V | ±16V | +20V, -16V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 60 V | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 90A (Tc) | 90A (Tc) | 90A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 60µA | 2V @ 253µA | 2.2V @ 40µA | 2.2V @ 35µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8180 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V | 5680 pF @ 25 V | 4690 pF @ 25 V |
IPD90P03P4L-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90P03P4-04 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S4-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 90A TO252-3IPD90N06S4L-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N04S6-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90P03P4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S3-06VBSEMIIPD90N04S4L-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N08S4-05VBSEMIIPD90N06S4L-06 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N04S4L-04 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S4L06ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 90A TO252-31IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 90A TO252-3IPD90N06S4-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S4-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S4-04 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD90N06S4L-06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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