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IPD60R600PFD7SAUMA1 Image - 1
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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IPD60R600PFD7SAUMA1 - Infineon Technologies

メーカー 部品型番
IPD60R600PFD7SAUMA1
メーカー
Infineon Technologies
Allelco 部品型番
32D-IPD60R600PFD7SAUMA1
ECADモデル
モデルの説明
CONSUMER PG-TO252-3
パッケージ
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
データシート
IPD60R600PFD7SAUMA1.pdf
RoHS ステータス
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在庫あり: 88430

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認定

規格

IPD60R600PFD7SAUMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPD60R600PFD7SAUMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD60R600PFD7SAUMA1仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー Infineon Technologies  
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 80µA  
Vgs（最大） ±20V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3  
シリーズ CoolMOS™ PFD7  
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 600mOhm @ 1.7A, 10V  
電力消費（最大） 31W (Tc)  
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
パッケージ Tape & Reel (TR)  
製品属性 属性値  
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)  
装着タイプ Surface Mount  
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 344 pF @ 400 V  
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V  
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)  
基本製品番号 IPD60R  

環境と輸出分類

属性 説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル（MSL） 3 (168 Hours)
州に到達します REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD60R600PFD7SAUMA1と同様の仕様

製品属性 IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R650CEATMA1 IPD60R750E6 IPD60R950C6
部品型番 IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R650CEATMA1 IPD60R750E6 IPD60R950C6
メーカー Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 8.5 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 600mOhm @ 1.7A, 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V 750mOhm @ 2A, 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V 600 V 600 V 600 V
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3
装着タイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
電力消費（最大） 31W (Tc) 63W (Tc) 48W (Tc) 37W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V 10V 10V 10V
FET特長 - - - -
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 80µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 170µA 3.5V @ 130µA
シリーズ CoolMOS™ PFD7 CoolMOS™ CE CoolMOS™ E6 CoolMOS™ C6
基本製品番号 IPD60R IPD60R IPD60R IPD60R
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 344 pF @ 400 V 440 pF @ 100 V 373 pF @ 100 V 280 pF @ 100 V
Vgs（最大） ±20V ±20V ±20V ±20V
パッケージ Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FETタイプ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc) 7A (Tc) 5.7A (Tc) 4.4A (Tc)

IPD60R600PFD7SAUMA1データテーブルPDF

IPD60R600PFD7SAUMA1 - Infineon TechnologiesのIPD60R600PFD7SAUMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード

PCNアセンブリ/オリジン
Mult Dev A/T Chgs 18/Oct/2021.pdf

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（異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。）

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一般的な国のロジスティック時間参照
地域 国 ロジスティック時間（日）
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料（kg） 参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記：
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

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