IPD50R500CEの技術仕様
Infineon Technologies - IPD50R500CE技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD50R500CE仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 200µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-344 | |
| シリーズ | CoolMOS CE™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500mOhm @ 2.3A, 13V | |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 433 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.7 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 13V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPD50 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD50R500CEと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD50R500CE | IPD50R500CEAUMA1 | IPD50R399CP | IPD50R399CPATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-344 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-313 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 433 pF @ 100 V | 433 pF @ 100 V | 890 pF @ 100 V | 890 pF @ 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18.7 nC @ 10 V | 18.7 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | IPD50 | IPD50R500 | IPD50R | IPD50R |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | 57W (Tc) | 83W (Tc) | 83W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 200µA | 3.5V @ 200µA | 3.5V @ 330µA | 3.5V @ 330µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 13V | 13V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A (Tc) | 7.6A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | CoolMOS CE™ | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CP | CoolMOS™ CP |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500mOhm @ 2.3A, 13V | 500mOhm @ 2.3A, 13V | 399mOhm @ 4.9A, 10V | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
IPD530N15N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPD50R3K0CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R380CFINFIPD50R500CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.6A TO252IPD50R520CP 5R520PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R399CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 9A TO252-3IPD50R399CPATMA1Infineon TechnologiesLOW POWER_LEGACYIPD50R380CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R3K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3IPD50R520CPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3IPD50R399CP 5R399PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3IPD50R950CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesCONSUMERIPD50R800CEInfineon TechnologiesIPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANNIPD50R399CP MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesLOW POWER_LEGACYIPD50R2K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET CE| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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