IPD50P04P4L11ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 85µA | |
Vgs(最大) | ±16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 | |
シリーズ | Automotive, OptiMOS™-P2 | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.6mOhm @ 50A, 10V | |
電力消費(最大) | 58W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3900 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) | |
基本製品番号 | IPD50 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | IPD50P04P4L11ATMA1 | IPD50R2K0CE | IPD50R280CEAUMA1 | IPD50R280CEBTMA1 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
シリーズ | Automotive, OptiMOS™-P2 | * | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3900 pF @ 25 V | - | 773 pF @ 100 V | 773 pF @ 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) | - | 13A (Ta) | 13A (Tc) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 59 nC @ 10 V | - | 32.6 nC @ 10 V | 32.6 nC @ 10 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 | - | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 85µA | - | 3.5V @ 350µA | 3.5V @ 350µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.6mOhm @ 50A, 10V | - | 280mOhm @ 4.2A, 13V | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
基本製品番号 | IPD50 | IPD50R | IPD50R | IPD50R |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | - | 13V | 13V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | - | 500 V | 500 V |
装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Vgs(最大) | ±16V | - | ±20V | ±20V |
FETタイプ | P-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
電力消費(最大) | 58W (Tc) | - | 119W (Tc) | 92W (Tc) |
FET特長 | - | - | - | - |
IPD50P04P4L11ATMA1 - Infineon TechnologiesのIPD50P04P4L11ATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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