IPD096N08N3GATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPD096N08N3GATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD096N08N3GATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 46µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 46A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2410 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPD096 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD096N08N3GATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD096N08N3GATMA1 | IPD090N03LGATMA1 | IPD09N03LB | IPD09N05 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Siemens |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) | 40A (Tc) | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 46A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | - | - |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 30 V | - | - |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | 42W (Tc) | - | - |
| 基本製品番号 | IPD096 | IPD090 | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 46µA | 2.2V @ 250µA | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2410 pF @ 40 V | 1600 pF @ 15 V | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 | - | - |
IPD096N08N3GATMA1 - Infineon TechnologiesのIPD096N08N3GATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPD09N03LBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD09N05SiemensIPD090N03LAGINFNEONIPD09N03LA MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD1-02-D-KSamtec Inc.CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMIPD09N03LVBSEMIIPD096N08N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD096N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD090N03L MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD090N03LG 090N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD090N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD090N03LG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD09N03LAG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD1-02-DSamtec Inc.CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMIPD09N03LBGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD09N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD090N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 40A TO252-3IPD09N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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