IPD068N10N3GATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 90µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 90A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4910 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPD068 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD068N10N3GATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD068N10N3GATMA1 | IPD06N03LAG | IPD060N03LG | IPD060N03LGATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4910 pF @ 50 V | 2653 pF @ 15 V | 2300 pF @ 15 V | 2400 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 90A, 10V | 5.7mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™3 | OptiMOS™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 83W (Tc) | 56W (Tc) | 56W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 90µA | 2V @ 40µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 25 V | 30 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | IPD068 | - | - | IPD060 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68 nC @ 10 V | 22 nC @ 5 V | 30 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IPD068N10N3GATMA1 - Infineon TechnologiesのIPD068N10N3GATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPD060N03LG 060N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD068P03L3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD060N03LG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD060N03L MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD068N10N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD068N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD06N03LAGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPD060N03LGInfineon TechnologiesOPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETIPD06N03LAG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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