IPD040N03LGの技術仕様
Infineon Technologies - IPD040N03LG技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPD040N03LG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| シリーズ | OptiMOS® 3 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 79W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPD040N03LGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPD040N03LG | IPD042P03L3GATMA1 | IPD038N06N3GATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 79W (Tc) | 150W (Tc) | 188W (Tc) | 125W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 60 V | 80 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 70A (Tc) | 90A (Tc) | 90A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 6V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2V @ 270µA | 4V @ 90µA | 3.8V @ 65µA |
| シリーズ | OptiMOS® 3 | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900 pF @ 15 V | 12400 pF @ 15 V | 8000 pF @ 30 V | 3800 pF @ 40 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 30A, 10V | 4.2mOhm @ 70A, 10V | 3.8mOhm @ 90A, 10V | 4.6mOhm @ 45A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 175 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD03N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD042P03L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 70A TO252-3IPD039N03LGINENOIIPD042P03L3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD040N03LG 040N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD03N03LAG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD038N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 90A TO252-3IPD040N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD03N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD03N03LBGVBSEMIIPD040N03LG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD03N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD038N06N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD042P03L3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD048N06L3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD048N06L3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD040N03L MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD046N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 90A TO252-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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