IPC90N04S5L3R3ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPC90N04S5L3R3ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPC90N04S5L3R3ATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 23µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-34 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.3mOhm @ 45A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 62W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2145 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPC90N04 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPC90N04S5L3R3ATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPC90N04S5L3R3ATMA1 | IPC100N04S5L1R9ATMA1 | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | IPC100N04S5L1R1ATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | IPC90N04 | IPC100 | IPC50N | IPC100 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 100A (Tc) | 50A (Tc) | 100A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2145 pF @ 25 V | 4310 pF @ 25 V | 1209 pF @ 25 V | 8250 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 62W (Tc) | 100W (Tc) | 42W (Tc) | 150W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 23µA | 2V @ 50µA | 2V @ 13µA | 2V @ 90µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.3mOhm @ 45A, 10V | 1.9mOhm @ 50A, 10V | 5.5mOhm @ 25A, 10V | 1.1mOhm @ 50A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-34 | PG-TDSON-8-34 | PG-TDSON-8-33 | PG-TDSON-8-34 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IPC90N04S5L3R3ATMA1 - Infineon TechnologiesのIPC90N04S5L3R3ATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPC100N04S5L1R9ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34IPC90N04S5L-3R3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC50N04S5-5R8Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC50N04S5L5R5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33IPC100N04S5L-1R1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC3015F3R3NA1IPC3015F6R8MMA1IPC5012F6R8MA1IPC100N04S5L-1R9Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPCU1C02ALCATELIPC100N04S5L1R1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34IPC100N04S5L-1R5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC3015F4R7MA1IPC100N04S5L-2R6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC1532HYNIXIPC90N04S5-3R6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPC3012F4R7MA1
IPC10TRSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。