IPB80N08S2L07ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPB80N08S2L07ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB80N08S2L07ATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 233 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPB80N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB80N08S2L07ATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPB80N08S2L07ATMA1 | IPB80P04P407ATMA2 | IPB80P03P4L07ATMA2 | IPB80N06S4L07ATMA2 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 75 V | 40 V | 30 V | 60 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 4V @ 150µA | 2V @ 130µA | 2.2V @ 40µA |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | +5V, -16V | ±16V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 25 V | 6085 pF @ 25 V | 5700 pF @ 25 V | 5680 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.8mOhm @ 80A, 10V | 7.4mOhm @ 80A, 10V | 6.9mOhm @ 80A, 10V | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 88W (Tc) | 88W (Tc) | 79W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 233 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 基本製品番号 | IPB80N | IPB80P | IPB80P | IPB80N |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) |
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IPB80N07S4-05INF
IPB80P04P4-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB80P03P4-05INFIPB80P04P407ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3IPB80N08S2-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB80N08S2L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3IPB80N06S4L-04Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB80P04P4L-04INFIPB80N06S4L-07Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB80P04P4-07INFIPB80N06S4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 80A TO263-3IPB80N06S405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 80A TO263-3IPB80N08S4-06INFIPB80P04P407ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 80A TO263-3IPB80N06S4L-05N/AIPB80P03P4L-04INFIPB80N08S2-07 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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