IPB80N03S4L03ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 45µA | |
Vgs(最大) | ±16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 80A, 10V | |
電力消費(最大) | 94W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5100 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) | |
基本製品番号 | IPB80N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB80N03S4L03ATMA1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IPB80N03S4L03ATMA1 | IPB80N04S3-04 | IPB80N03S4L-03 | IPB80N04S2H4ATMA2 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 40 V | 30 V | 40 V |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-1 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 80A (Tc) |
電力消費(最大) | 94W (Tc) | 136W (Tc) | 94W (Tc) | 300W (Tc) |
Vgs(最大) | ±16V | ±20V | ±16V | ±20V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5100 pF @ 25 V | 5200 pF @ 25 V | 5100 pF @ 25 V | 4400 pF @ 25 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
シリーズ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 45µA | 4V @ 90µA | 2.2V @ 45µA | 4V @ 250µA |
基本製品番号 | IPB80N | - | - | IPB80N |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 4.1mOhm @ 80A, 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
FET特長 | - | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 148 nC @ 10 V |
IPB80N03S4L03ATMA1 - Infineon TechnologiesのIPB80N03S4L03ATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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