IPB22N03S4L15ATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 10µA | |
Vgs(最大) | ±16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14.6mOhm @ 22A, 10V | |
電力消費(最大) | 31W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 980 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Tc) | |
基本製品番号 | IPB22N03 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IPB22N03S4L15ATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 | IPB230N06L3G | IPB240N03S4LR9ATMA1 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Tc) | 64A (Tc) | 30A (Tc) | 240A (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 250 V | 60 V | 30 V |
基本製品番号 | IPB22N03 | IPB200 | - | IPB240 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 980 pF @ 25 V | 7100 pF @ 100 V | 1600 pF @ 30 V | 20300 pF @ 25 V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs(最大) | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 14.6mOhm @ 22A, 10V | 20mOhm @ 64A, 10V | 23mOhm @ 30A, 10V | 0.92mOhm @ 100A, 10V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 10 nC @ 4.5 V | 300 nC @ 10 V |
シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET特長 | - | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 10µA | 4V @ 270µA | 2.2V @ 11µA | 2.2V @ 180µA |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 | PG-TO263-3 | PG-TO263-7-3 |
電力消費(最大) | 31W (Tc) | 300W (Tc) | 36W (Tc) | 231W (Tc) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IPB22N03S4L15ATMA1 - Infineon TechnologiesのIPB22N03S4L15ATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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