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まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルIPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。

IPAN70R360P7SXKSA1 - Infineon Technologies

メーカー 部品型番
IPAN70R360P7SXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
Allelco 部品型番
32D-IPAN70R360P7SXKSA1
ECADモデル
モデルの説明
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
詳細な説明
パッケージ
TO-220-3 Full Pack
データシート
IPAN70R360P7SXKSA1.pdf
RoHS ステータス
在庫あり: 67980

必須フィールドは、星番号(*)で表されます
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数量

規格

IPAN70R360P7SXKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー Infineon Technologies  
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 150µA  
Vgs(最大) ±16V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP  
シリーズ CoolMOS™ P7  
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 360mOhm @ 3A, 10V  
電力消費(最大) 26.5W (Tc)  
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack  
パッケージ Tube  
製品属性 属性値  
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)  
装着タイプ Through Hole  
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 517 pF @ 400 V  
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16.4 nC @ 10 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V  
ソース電圧(VDSS)にドレイン 700 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12.5A (Tc)  
基本製品番号 IPAN70  

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1と同様の仕様

製品属性 IPAN70R360P7SXKSA1 IPA95R450P7XKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
部品型番 IPAN70R360P7SXKSA1 IPA95R450P7XKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
メーカー Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
装着タイプ Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ソース電圧(VDSS)にドレイン 700 V 950 V 900 V 900 V
Vgs(最大) ±16V ±20V ±20V ±20V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V 10V - 10V
基本製品番号 IPAN70 IPA95R450 - IPA90R
FETタイプ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220 Full Pack PG-TO220-FP
シリーズ CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 517 pF @ 400 V 1053 pF @ 400 V 1100 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 360mOhm @ 3A, 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 150µA 3.5V @ 360µA 3.5V @ 460µA 3.5V @ 310µA
パッケージ Tube Tube Bulk Tube
電力消費(最大) 26.5W (Tc) 30W (Tc) 33W (Tc) 31W (Tc)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12.5A (Tc) 14A (Tc) 6.9A (Tc) 5.1A (Tc)
FET特長 - - - -
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16.4 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V

IPAN70R360P7SXKSA1データテーブルPDF

IPAN70R360P7SXKSA1 - Infineon TechnologiesのIPAN70R360P7SXKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード

PCNアセンブリ/オリジン
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

郵送方法

納期

在庫のあるアイテムは24時間以内に出荷できます。一部の部品は、すべてのアイテムが当社の倉庫に到着した日から1〜2日以内に配達用に配置されます。また、Allelcoは日曜日を除く17:00頃に1日1回注文します。商品が出荷されると、推定配送時間は輸送方法と配送先に依存します。下の表は、一部の一般的な国のロジスティック時間です。

配送コスト

  1. 発送には、発送のためにエクスプレスアカウントを使用してください。
  2. 出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。
(異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。)

配信方法

  1. DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SFによるグローバル共通出荷がサポートしています。
  2. その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域 ロジスティック時間(日)
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料(kg) 参照DHL(USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記:
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

支払いサポート

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