IPA50R800CEの技術仕様
Infineon Technologies - IPA50R800CE技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IPA50R800CE仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 130µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 1.5A, 13V | |
| 電力消費（最大） | 26.4W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.4 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 13V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IPA50R |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IPA50R800CEと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IPA50R800CE | IPA50R380CE | IPA60R060P7XKSA1 | IPA50R500CE |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ P7 | CoolMOS™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 13V | 13V | 10V | 13V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 130µA | 3.5V @ 260µA | 4V @ 800µA | 3.5V @ 200µA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 26.4W (Tc) | 29.2W (Tc) | 29W (Tc) | 28W (Tc) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12.4 nC @ 10 V | 24.8 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 18.7 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 800mOhm @ 1.5A, 13V | 380mOhm @ 3.2A, 13V | 60mOhm @ 15.9A, 10V | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP | PG-TO220-FP | PG-TO220-FP | PG-TO220-3-31 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 280 pF @ 100 V | 584 pF @ 100 V | 2895 pF @ 400 V | 433 pF @ 100 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | IPA50R | IPA50R | IPA60R060 | IPA50R |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 600 V | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | 9.9A (Tc) | 48A (Tc) | 7.6A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IPA50R800CE - Infineon TechnologiesのIPA50R800CE PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IPA60R060P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA50R380CEInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP
IPA50R520CEINFIPA60R060P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220IPA50R500CEInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-FPIPA50R520CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-FPIPA60R080P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 37A TO220IPA50R520CP 5R520PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA50R950CEInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FPIPA50R350PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA60R060C7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 16A TO220IPA50R520CPInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPA60R099C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA50R350CPInfineon Technologies10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANNEL,IPA50R650CEInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FPIPA6041GTRPBFIRIPA60R080P7Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORIPA50R399CPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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