IKD15N60Rの技術仕様
Infineon Technologies - IKD15N60R技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IKD15N60R仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 15A | |
| 試験条件 | 400V, 15A, 15Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 16ns/183ns | |
| エネルギーの切り替え | 900µJ | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| シリーズ | TrenchStop® | |
| 逆回復時間（trrの） | 110 ns | |
| 電力 - 最大 | 250 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench | |
| ゲートチャージ | 90 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 45 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 30 A | |
| 基本製品番号 | IKD15N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IKD15N60Rと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IKD15N60R | IKD06N60RFATMA1 | IKD10N60R | IKD06N60RAATMA2 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ゲートチャージ | 90 nC | 48 nC | 64 nC | 48 nC |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 15A | 2.5V @ 15V, 6A | 2.1V @ 15V, 10A | 2.1V @ 15V, 6A |
| IGBTタイプ | Trench | Trench Field Stop | Trench | Trench |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | TrenchStop® | TrenchStop® | TrenchStop® | TrenchStop® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 逆回復時間（trrの） | 110 ns | 48 ns | 62 ns | 68 ns |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 30 A | 12 A | 20 A | 12 A |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 |
| 基本製品番号 | IKD15N | IKD06N | IKD10N | IKD06N |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 電力 - 最大 | 250 W | 100 W | 150 W | 100 W |
| 試験条件 | 400V, 15A, 15Ohm, 15V | 400V, 6A, 23Ohm, 15V | 400V, 10A, 23Ohm, 15V | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 16ns/183ns | 7ns/106ns | 14ns/192ns | 12ns/127ns |
| エネルギーの切り替え | 900µJ | 90µJ (on), 90µJ (off) | 590µJ | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 45 A | 18 A | 30 A | 18 A |
IKD15N60R - Infineon TechnologiesのIKD15N60R PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3IKD10N60RInfineon TechnologiesIGBT 600V 20A 150W TO252-3
IKD06N60RACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD10N60RACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD06N60R K06R60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD06N60RA K06R60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD06N65ET6ARMA1InfineonIKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesIGBT 600V 12A 100W TO252-3IKD04N60RF K04R60FCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3IKD06N60RATMA1InfineonIKD10N60RFInfineon TechnologiesIKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH ANIKD15N60RFACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3IKD04N60RFInfineon TechnologiesIGBT 600V 8A 75W TO252-3IKD06N60RInfineon TechnologiesIGBT TRENCH 600V 12A TO252-3IKD15N60RFInfineonIKD06N60RFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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