IGP30N65F5XKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IGP30N65F5XKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IGP30N65F5XKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 30A | |
| 試験条件 | 400V, 15A, 23Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 19ns/170ns | |
| エネルギーの切り替え | 280µJ (on), 70µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| シリーズ | TrenchStop™ | |
| 電力 - 最大 | 188 W | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench | |
| ゲートチャージ | 65 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 90 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 55 A | |
| 基本製品番号 | IGP30N65 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IGP30N65F5XKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IGP30N65F5XKSA1 | IGP03N120H2 | IGP01N120H2 | IGP50N60T |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 |
| 基本製品番号 | IGP30N65 | - | - | - |
| IGBTタイプ | Trench | - | - | Trench Field Stop |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力 - 最大 | 188 W | 62.5 W | 28 W | 333 W |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 55 A | 9.6 A | 3.2 A | 90 A |
| エネルギーの切り替え | 280µJ (on), 70µJ (off) | 290µJ | 140µJ | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| 試験条件 | 400V, 15A, 23Ohm, 15V | 800V, 3A, 82Ohm, 15V | 800V, 1A, 241Ohm, 15V | 400V, 50A, 7Ohm, 15V |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 90 A | 9.9 A | 3.5 A | 150 A |
| シリーズ | TrenchStop™ | - | - | TRENCHSTOP™ |
| ゲートチャージ | 65 nC | 22 nC | 8.6 nC | 310 nC |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 30A | 2.8V @ 15V, 3A | 2.8V @ 15V, 1A | 2V @ 15V, 50A |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 1200 V | 1200 V | 600 V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 19ns/170ns | 9.2ns/281ns | 13ns/370ns | 26ns/299ns |
IGP30N65F5XKSA1 - Infineon TechnologiesのIGP30N65F5XKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IGP15N60T G15T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP03N120H2Infineon TechnologiesIGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNELIGP01N120H2Infineon TechnologiesPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNIGP50N60TInfineon TechnologiesIGP50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP20N60H3Infineon TechnologiesIGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 650V 42A TO220-3IGP30N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGP03N120H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP10N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP50N60TXKSA1InfineonIGP06N60T G06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP06N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP20N65F5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP15N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGP128NVIDIAIGP30N65H5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N60H3Infineon TechnologiesIGP30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 650V 55A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。