IGB50N60TATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - IGB50N60TATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IGB50N60TATMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 50A | |
| 試験条件 | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 26ns/299ns | |
| エネルギーの切り替え | 2.6mJ | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | |
| シリーズ | TrenchStop® | |
| 電力 - 最大 | 333 W | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench | |
| ゲートチャージ | 310 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 150 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100 A | |
| 基本製品番号 | IGB50N |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IGB50N60TATMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IGB50N60TATMA1 | IGB50N65H5ATMA1 | IGB15N60TATMA1 | IGB30N60T |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 650 V | 600 V | - |
| 試験条件 | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | 400V, 50A, 12Ohm, 15V | 400V, 15A, 15Ohm, 15V | - |
| シリーズ | TrenchStop® | TrenchStop™ 5 | TrenchStop® | - |
| IGBTタイプ | Trench | Trench Field Stop | Trench | - |
| 電力 - 最大 | 333 W | 270 W | 130 W | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 50A | 2.1V @ 15V, 50A | 2.05V @ 15V, 15A | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100 A | 80 A | 30 A | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ゲートチャージ | 310 nC | 120 nC | 87 nC | - |
| 基本製品番号 | IGB50N | IGB50 | IGB15N60 | - |
| エネルギーの切り替え | 2.6mJ | 1.59mJ (on), 750µJ (off) | 570µJ | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 26ns/299ns | 23ns/173ns | 17ns/188ns | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 150 A | 150 A | 45 A | - |
IGB50N60TATMA1 - Infineon TechnologiesのIGB50N60TATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IGBT-YT1R5BBB-1SILVERMICROIGBT ModuleIGB50N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGBT-4/DI0DE-3TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB20N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGB30N60H3/G30H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB50N60T G50T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT A50L-1-0222TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGBT(30A)-0233TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB15N65S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB20N65S5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT A50L-1-0212TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT PRODUCTSIGBT A50L-1-0221TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGBT A50L-1-0230TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleIGB20N60H3 G20H603Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB30N60H3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT 600V 30A 130W TO263-3-2IGB30N60TInfineon TechnologiesIGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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