IDW30G65C5XKSA1の技術仕様
Infineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IDW30G65C5XKSA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 30 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | CoolSiC™+ | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 220 µA @ 650 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 860pF @ 1V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | IDW30G65 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IDW30G65C5XKSA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IDW30G65C5XKSA1 | IDW40E65D1 | IDW40E65D2 | IDW30E65D1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vrと、F @キャパシタンス | 860pF @ 1V, 1MHz | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 30A | 80A | 80A | 60A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 220 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 30 A | 1.7 V @ 40 A | 2.3 V @ 40 A | 1.7 V @ 30 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3-1 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | CoolSiC™+ | - | IDW | - |
| 基本製品番号 | IDW30G65 | - | - | - |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard | Standard | Standard |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 129 ns | 75 ns | 115 ns |
IDW30G65C5XKSA1 - Infineon TechnologiesのIDW30G65C5XKSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IDW30G65C5/D3065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30G120C5BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120CB5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40E65D1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 80A TO247-3-1IDW30E60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5B D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40E65D2Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3IDW30E60/D30E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5BIDW40G120C5B/D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30C65D2 C30ED2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30S120/D30S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDW40G120C5BFKSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3IDW20G65C5/D2065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40E65D2 E40ED2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E60A/D30E60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E65D1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 60A TO247-3-1| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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