IDL08G65C5XUMA2の技術仕様
Infineon Technologies - IDL08G65C5XUMA2技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IDL08G65C5XUMA2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 8 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-VSON-4 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | CoolSiC™+ | |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 140 µA @ 650 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 250pF @ 1V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | IDL08G65 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IDL08G65C5XUMA2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IDL08G65C5XUMA2 | US1KSAFS-13 | RURG3060-F085 | 1N1343B |
| メーカー | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | onsemi | Microchip Technology |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V | 800 V | 600 V | 150 V |
| 基本製品番号 | IDL08G65 | US1K | RURG3060 | 1N1343 |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard | Standard | Standard |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 8 A | 1.85 V @ 1 A | 1.5 V @ 30 A | 1.3 V @ 30 A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 250pF @ 1V, 1MHz | 5pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 140 µA @ 650 V | 5 µA @ 800 V | 250 µA @ 600 V | 10 µA @ 150 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Stud Mount |
| シリーズ | CoolSiC™+ | - | Automotive, AEC-Q101 | SR20 |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns | 75 ns | 80 ns | - |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 8A | 1A | 30A | 16A |
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN | DO-214AC, SMA Flat Leads | TO-247-2 | DO-203AA, DO-4, Stud |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-VSON-4 | SMA-FS | TO-247-2 | DO-203AA (DO-4) |
IDL08G65C5XUMA2 - Infineon TechnologiesのIDL08G65C5XUMA2 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
US1KSAFS-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FSRURG3060-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-21N1343BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 16A DO203AA
IDL06G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
EGP30GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 3A, 400V, DO-20IDL10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)1N3913RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
PMEG2010EA115NXP USA Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323UES706Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 20A DO4
1N4148W-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
APT60D30BGMicrosemi CorporationDIODE GEN PURP 300V 60A TO247
DLLFSD01LPH4-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFNIDL10G65C5 D1065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)1N5402-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
AU1PM-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
HFA08TB60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
RFUH20NS6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 20A LPDSB230AF-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 2A SMAF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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