CYD09S18V18-200BBXCの技術仕様
Infineon Technologies - CYD09S18V18-200BBXC技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - CYD09S18V18-200BBXC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 256-FBGA (17x17) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 256-LBGA | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 9Mbit | |
| メモリ組織 | 512K x 18 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| クロック周波数 | 200 MHz | |
| 基本製品番号 | CYD09S18 | |
| アクセス時間 | 3.3 ns |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies CYD09S18V18-200BBXCと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CYD09S18V18-200BBXC | CYD09S72V-133BBI | CYD18S18V18-167BBAXI | CYD09S72V-167BBC |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies |
| メモリ組織 | 512K x 18 | 128K x 72 | 1M x 18 | 128K x 72 |
| 記憶容量 | 9Mbit | 9Mbit | 18Mbit | 9Mbit |
| パッケージ/ケース | 256-LBGA | 484-BGA | 256-LBGA | 484-BGA |
| 基本製品番号 | CYD09S18 | CYD09S72 | CYD18S18 | CYD09S72 |
| 運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| クロック周波数 | 200 MHz | 133 MHz | 167 MHz | 167 MHz |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous | SRAM - Dual Port, Synchronous | SRAM - Dual Port, Synchronous | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| パッケージ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| アクセス時間 | 3.3 ns | 4.4 ns | 4 ns | 4 ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | 256-FBGA (17x17) | 484-FBGA (23x23) | 256-FBGA (17x17) | 484-FBGA (23x23) |
| 電源電圧 - | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
CYD09S18V18-200BBXC - Infineon TechnologiesのCYD09S18V18-200BBXC PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
CYD09S72V-133BBIInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 484FBGACYD18S18V18-167BBAXICypress Semiconductor CorpIC SRAM 18MBIT PAR 256FBGACYD09S72V-167BBCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 484FBGACYD09S72V-133BBCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 9MBIT PARALLEL 484FBGACYD09S18V18-167BBXIInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGACYD09S36V18-200BBXIInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGACYD18S18V18-200BBAXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGACYD18S36V18-167BBAIInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 256FBGACYD09S36V18-200BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S36V-133BBCInfineon Technologies7C085334A-13BBCCYD02S36VA-167BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGACYD02S36VA-167BBCInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGACYD09S18V18-167BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD18S18V18-167BBAXIRochester Electronics, LLCIC SRAM 18MBIT PAR 256FBGACYD09S72V18-167BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGACYD02S36V18-200BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S36V18-167BBXCCypress Semiconductor CorpCYD09S36 - FULLFLEX SYNCHRONOUSCYD09S36V18-167BBXCInfineon TechnologiesIC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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