BSZ180P03NS3EGATMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSZ180P03NS3EGATMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSZ180P03NS3EGATMA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.1V @ 48µA | |
Vgs(最大) | ±25V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2220 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Ta), 39.5A (Tc) | |
基本製品番号 | BSZ180 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSZ180P03NS3EGATMA1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | BSZ180P03NS3EGATMA1 | BSZ16DN25NS3GATMA1 | BSZ300N15NS5ATMA1 | BSZ22DN20NS3G |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 11.4 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 5.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±25V | ±20V | ±20V | ±20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 250 V | 150 V | 200 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 | PG-TSDSON-8 | PG-TSDSON-8-FL | PG-TSDSON-8-1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2220 pF @ 15 V | 920 pF @ 100 V | 950 pF @ 75 V | 430 pF @ 100 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18mOhm @ 20A, 10V | 165mOhm @ 5.5A, 10V | 30mOhm @ 16A, 10V | 225mOhm @ 3.5A, 10V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | 10V | 8V, 10V | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
FET特長 | - | - | - | - |
基本製品番号 | BSZ180 | BSZ16DN25 | BSZ300 | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.1V @ 48µA | 4V @ 32µA | 4.6V @ 32µA | 4V @ 13µA |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Ta), 39.5A (Tc) | 10.9A (Tc) | 32A (Tc) | 7A (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) | 62.5W (Tc) | 62.5W (Tc) | 34W (Tc) |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™3 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 - Infineon TechnologiesのBSZ180P03NS3EGATMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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