BSZ0909NDXTMA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-WISON-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 17W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.6nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | BSZ0909 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSZ0909NDXTMA1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | BSZ0909NDXTMA1 | BSZ0908NDXTMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 | BSZ0909LSATMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.6nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V | 22 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 100 V | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) | 40A (Tc) | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | BSZ0909 | BSZ0908 | BSZ096 | BSZ0909 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360pF @ 15V | 340pF @ 15V, 730pF @ 15V | 2100 pF @ 50 V | 1700 pF @ 15 V |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Standard | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-WISON-8 | PG-WISON-8 | PG-TSDSON-8-FL | PG-TDSON-8 FL |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.3V @ 36µA | 2V @ 250µA |
| シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS® | OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ 5 |
| 電力 - 最大 | 17W | 700mW (Ta), 860mW (Ta) | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 9A, 10V | 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V | 9.6mOhm @ 20A, 10V | 3mOhm @ 20A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
BSZ0909NDXTMA1 - Infineon TechnologiesのBSZ0909NDXTMA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 40A TSDSONBSZ0909LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSONBSZ097N04LSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0909LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0911LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONBSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONBSZ0908NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0909NS MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0902NSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSONBSZ0911LSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0908NDXTMA1Infineon TechnologiesSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETBSZ0907NDXTMA1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0906NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0904NSICypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0907NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0910NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0909NDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSZ0909NSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。