BSV236SPH6327XTSA1の技術仕様
Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 8µA | |
Vgs(最大) | ±12V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-PO | |
シリーズ | OptiMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 560mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 228 pF @ 15 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.5A (Ta) | |
基本製品番号 | BSV236 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | BSV236SPH6327XTSA1 | BSV236SP L6327 | IXTC13N50 | FDD2612 |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | IXYS | onsemi |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 228 pF @ 15 V | 228 pF @ 15 V | 2800 pF @ 25 V | 234 pF @ 100 V |
FET特長 | - | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
基本製品番号 | BSV236 | - | IXTC13 | FDD261 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 20 V | 500 V | 200 V |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | ISOPLUS220™ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 8µA | 1.2V @ 8µA | 4V @ 2.5mA | 4.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V | ±12V | ±20V | ±20V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 10V | 10V |
電力消費(最大) | 560mW (Ta) | 560mW (Ta) | 140W (Tc) | 42W (Ta) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT363-PO | PG-SOT363-PO | ISOPLUS220™ | TO-252AA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | 400mOhm @ 6.5A, 10V | 720mOhm @ 1.5A, 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | 5.7 nC @ 4.5 V | 120 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.5A (Ta) | 1.5A (Ta) | 12A (Tc) | 4.9A (Ta) |
シリーズ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | PowerTrench® |
BSV236SPH6327XTSA1 - Infineon TechnologiesのBSV236SPH6327XTSA1 PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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